北京大學電子學系前沿學術論壇第9期

時間:2021年6月4日(周五)14:00-16:00

地點:北京大學理科二號樓2736報告廳

主講人:陳堂勝研究員

聯系人:劉洪剛 研究員liuhonggang@pku.edu.cn

報告題目:大功率與超高頻GaN微波功率器件

報告摘要:近年來三代半導體GaN微波功率器件在軍民領域得到廣泛應用,但器件性能優勢還有待進一步發掘。與金剛石結合解決器件散熱問題實現更高輸出功率密度以及采用新型異質結結合低寄生35nm柵長工藝提高器件工作頻率是GaN微波功率器件發展的主要方向。報告將給出近期研究結果,分析存在的問題,提出繼續努力的技術途徑。

報告人簡介:

陳堂勝,1986年、1989年畢業于西安交通大學半導體物理與器件專業,分別獲學士和碩士學位,研究員級高級工程師,現任中國電子科技集團公司工藝制造領域首席科學家,砷化鎵微波毫米波單片和模塊電路國防科技重點實驗室主任。長期從事化合物半導體微波功率器件和單片電路工藝技術研究,研究興趣包括半導體異質集成技術、THz器件技術等。


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